FUENTES DE ALIMENTACION LINEALES

Fueron las primeras fuentes de alimentación que salieron, Un transformador que reducía la tensión de entrada de 220 VAC a otra tensión seguida de un puente de diodos y algún filtro para estabilizar la salida. El inconveniente de las fuentes lineales es su gran tamaño, que disipan gran parte de la energía en calor. Consecuentemente la vida de los componentes electrónicos que pueda incorporar o estar cercanos se ve mermados por ese incremento. Además la tensión de salida varía en función de la carga. Hoy en día se siguen utilizando ya que generan un ruido y rizado menor. Además al tener poca electrónica son más inmunes a las radiaciones electromagnéticas.


VENTAJAS: Por su naturaleza intrínseca, se puede decir que las fuentes conmutadas trabajan a “golpes” de tensión, lo que hace que todos sus componentes internos estén sometidas condiciones rigurosas. Esto aumenta su probabilidad de falla. Cuánto cuesta la salida de servicio de la máquina o proceso que ayudaba a controlar esta fuente? Además, llegado el caso, es mucho más sencillo reparar una fuente lineal que una switching, si es que se pueden conseguir los integrados de la conmutada.
· Las fuentes conmutadas tienen una tensión de riple apreciable sobre su salida. No es una “continua pura”. Su tensión (...y a veces su frecuencia) varían con la carga. Esto se puede notar en equipos de medición donde su display tenga tres dígitos o más: El bailoteo del último dígito se puede deber a con que tensión instantánea de alimentación se obtuvo la medición.
· Una tendencia en alza es la transmisión de datos por medio de los cables de alimentación, entre diferentes sensores, válvulas y procesadores de señal. El hecho de que la fuente de alimentación conmutada inyecte sus propias “señales” puede hacer inoperable el sistema.
· Bajo costo.
· Circuito simple.
· Aislación eléctrica (por el transformador).


DESVENTAJAS: Bajo rendimiento.
· Baja estabilidad.
· Tamaño y peso grandes (por el transformador).

FUENTES DE ALIMENTACION CONMUTADAS

Es un dispositivo electrónico que transforma energía eléctrica mediante transistores en conmutación. Mientras que un regulador de tensión utiliza transistores polarizados en su región activa de amplificación, las fuentes conmutadas utilizan los mismos conmutándolos activamente a altas frecuencias (100-500 Kilociclos típicamente) entre corte abiertos y saturación Cerrados. La forma de onda cuadrada resultante es aplicada a transformadores con núcleo de ferrita (Los núcleos de hierro no son adecuados para estas altas frecuencias) para obtener uno o varios voltajes de salida de corriente alterna que luego son rectificados Con diodos rápidos y filtrados Inductores y capacitores para obtener los voltajes de salida de corriente continua. Las ventajas de este método incluyen menor tamaño y peso del núcleo, mayor eficiencia por lo tanto menor calentamiento.

DESVENTAJAS: comparándolas con fuentes lineales es que son más complejas y generan ruido eléctrico de alta frecuencia que debe ser cuidadosamente minimizado para no causar interferencias a equipos próximos a estas fuentes.
· Alta estabilidad
· Poco peso y tamaño
· Gran rendimiento

VENTAJAS: Eliminan interferencias según DIN EN 55022 Clase B.
· Satisfacen especificaciones para tensiones de seguridad extra bajas (SELV).
· Producen de 12W a 300W.
· Control electrónico de cortocircuitos en el lado de salida.
· Pueden ser conectadas en serie para incrementar la potencia o la redundancia.
· Corriente de entrada sinusoidal de la alimentación de la red mediante corrección del factor de potencia (PFC).
· Costo relativamente alto
· Circuito complejo
· No tiene aislación eléctrica.

TRANSISTORES

TRANSISTORES

El Transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia").El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales específicos en cantidades específicos) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento sólo puede explicarse mediante mecánica cuántica.

TIPOS DE TRANSISTORES

· TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR: es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente en electrónica analógica. También en algunas aplicaciones de electrónica digital como la tecnología TTL o BICMOS. Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

- EMISOR: Que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal.
- BASE: La intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
- COLECTOR: De extensión mucho mayor.

La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.

TIPOS DE TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR

NPN: Es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación. La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector.

PNP: El PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias. La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo. Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.

TRANSISTOR BIPOLAR DE HETEROUNION: El transistor bipolar de heterounión (TBH) es una mejora del TBJ que puede manejar señales de muy altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz Es un dispositivo muy común hoy en día en circuitos ultrarrápidos, generalmente en sistemas de radiofrecuencia.

· TRANSISTORES FET’S: Es una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET, como todos los transistores, pueden plantearse como resistencias controladas por voltaje. La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o canal. Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.

TIPOS DE TRANSISTORES FET’S

MOSFET: Las siglas son de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica. Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cómo se haya realizado el dopaje:

TIPO nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.
TIPO pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.

Todavía son los dispositivos más utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente 1 a 200V.

JFET: Las siglas son de Junction Field-Effect Transistor es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva característica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.

MESFET: Las siglas son de Metal-Semiconductor Field Effect Transistor substituye la unión PN del JFET con una barrera Schottky.

IGBT: Las siglas son de Insulated Gate Bipolar Transistor es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada e control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.

FREDFET: Es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación ultra rápida del transistor.

DNAFET: Las siglas son de DNA field-effect transistor es un transistor de efecto de campo (o FET) que utiliza el efecto de campo generado por las cargas parciales de las moléculas de ADN para actuar como un biosensor. La estructura de los DNAFET es similar a la de los MOSFET, con la excepción de la estructura de la puerta que, en los DNAFET, es reemplazada por una capa de moléculas de cadenas sencillas de ADN que actúan como receptores de superficie. Cuando las cadenas del ADN complementario hibridan los receptores, cambia la distribución de la carga cerca de la superficie, lo que modula el transporte en curso a través del transductor semiconductor.

DIODOS

Es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente eléctrica en una única dirección con características similares a un interruptor. De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un corto circuito con muy pequeña resistencia eléctrica. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en corriente continua.

TIPOS DE DIODOS

DIODO AVALANCHA: Es un diodo semiconductor diseñado especialmente para trabajar en tensión inversa. En estos diodos, poco dopados, cuando la tensión en polarización inversa alcanza el valor de la tensión de ruptura, los electrones que han saltado a la banda de conducción por efecto de la temperatura se aceleran debido al campo eléctrico incrementando su energía cinética, de forma que al colisionar con electrones de valencia los liberan; éstos a su vez, se aceleran y colisionan con otros electrones de valencia liberándolos también, produciéndose una avalancha de electrones cuyo efecto es incrementar la corriente conducida por el diodo sin apenas incremento de la tensión.

FOTODIODO: Es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construcción, los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.
DIODO GUNN: Es una forma de diodo usado en la electrónica de alta frecuencia. A diferencia de los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N, solamente tiene regiones del tipo N, razón por lo que impropiamente se le conoce como diodo. Existen en este dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N fuertemente dopadas y una delgada región intermedia de material ligeramente dopado. Cuando se aplica un voltaje determinado a través de sus terminales, en la zona intermedia el gradiente eléctrico es mayor que en los extremos. Eventualmente esta zona empieza a esto significa que este diodo presenta una zona de resistencia negativa.

DIODO LASER: El diodo láser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos LED pero que bajo las condiciones adecuadas emite luz láser. A veces se los denomina diodos láser de inyección, o por sus siglas inglesas LD o ILD.

DIODO EMISOR DE LUZ O LED: es un dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unión PN del mismo y circula por él una corriente eléctrica. Este fenómeno es una forma de electroluminiscencia. El color (longitud de onda), depende del material semiconductor empleado en la construcción del diodo y puede variar desde el ultravioleta, pasando por el visible, hasta el infrarrojo.

DIODO PIN: Es una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor intrínseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la práctica, la capa intrínseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad (π) o bien por una capa n de alta resistividad (ν).

DIODO SCHOTTKY O DIODO DE BARRERA SCHOTTKY: llamado así en honor del físico alemán Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm de diámetro) y muy bajas tensiones umbral (también conocidas como tensiones de codo, aunque en inglés se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). La tensión de codo es la diferencia de potencial mínima necesaria para que el diodo actúe como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la región Zener, que es cuando más bien existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente- éste opere de igual forma como lo haría regularmente.

DIODO SHOCKLEY: Es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky. Está formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor.

DIODO TUNEL: Es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la característica corriente-tensión. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como componente activo (amplificador/oscilador). También se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubrió que una fuerte contaminación con impurezas podía causar un efecto de tunelización de los portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unión. Una característica importante del diodo túnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarización directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje.

EL DIODO VARICAP O DIODO DE CAPACIDAD VARIANTE: Es un tipo de diodo que basa su funcionamiento en el fenómeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unión PN varie en función de la tensión inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensión, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo así la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador variable controlado por tensión. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensión inversa mínima tiene que ser de 1 V.

DIODO ZENER: Es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas. Llamados a veces diodos de avalancha o de ruptura, el diodo zener es la parte esencial de los reguladores de tensión casi constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensión de red, de la resistencia de carga y temperatura.

SEMICONDUCTORES

Es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de la temperatura del ambiente en el que se encuentre. El elemento semiconductor más usado es el silicio, aunque idéntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). De un tiempo a esta parte se ha comenzado a emplear también el azufre. La característica común a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuración electrónica s²p².

TIPOS DE SEMICONDUCTORES

· SEMICONDUCTORES INTRINSECOS: Un cristal de silicio forma una estructura tetraédrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos electrones pueden, absorbiendo la energía necesaria, saltar a la banda de conducción, dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energías requeridas, a temperatura ambiente son de 1,12 y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.

· SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS: Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrínseco, y se dice que está dopado. Evidentemente, las impurezas deberán formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente átomo de silicio.

1. SEMICONDUCTORES TIPO N: se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativas o electrones).
Cuando el material dopante es añadido, éste aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones.

2. SEMICONDUCTORES TIPO P: se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando el material dopante es añadido, éste libera los electrones más débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos.

QUE ES UN MULTIMETRO

Un multímetro, a veces también denominado polímetro o tester, es un instrumento de medida que ofrece la posibilidad de medir distintas magnitudes en el mismo aparato. Las más comunes son las de voltímetro, amperímetro y ohmetro. Es utilizado frecuentemente por personal en toda la gama de electrónica y electricidad.

FUNCIONES

Voltaje A.C. (ACV)
Voltaje en corriente alterna (en voltios)
Voltaje DC (DCV)
Voltaje en corriente directa (en voltios)
Corriente AC (AC-mA)
Corriente alterna (en miliamperios)
Corriente DC (DC-mA)
Corriente directa (en miliamperios)
Resistencia (Ω)
Resistencia (en ohmios / ohms)

INSTRUMENTOS DE MEDICION

EL MULTIMETRO ANALOGICO: Es el instrumento que utiliza en su funcionamiento los parámetros del amperímetro, el voltímetro y el Ohmímetro. Las funciones son seleccionadas por medio de un conmutador. Por consiguiente todas las medidas de Uso y precaución son iguales y es multifuncional dependiendo el tipo de corriente (C.C o C.A.)

EL MULTIMETRI DIGITAL (DMM): Es el instrumento que puede medir el amperaje, el voltaje y el Ohmiaje obteniendo resultados numéricos - digitales. Trabaja también con los tipos de corriente.

EL AMPERIMETRO: Es el instrumento que mide la intensidad de la Corriente Eléctrica. Su unidad de medida es el Amperio y sus Submúltiplos, el miliamperio y el micro-amperio. Los usos dependen del tipo de corriente, ósea, que cuando midamos Corriente Continua, se usara el amperímetro de bobina móvil y cuando usemos Corriente Alterna, usaremos el electromagnético.

EL VOLTIMETRO: Es el instrumento que mide el valor de la tensión. Su unidad básica de medición es el Voltio (V) con sus múltiplos: el Megavoltio (MV) y el Kilovoltio (KV) y sub.-múltiplos como el milivoltio (mV) y el micro voltio. Existen Voltímetros que miden tensiones continuas llamados voltímetros de bobina móvil y de tensiones alternas, los electromagnéticos. Sus características son también parecidas a las del galvanómetro, pero con una resistencia en serie.

EL OHMIOMETRO: Es un arreglo de los circuitos del Voltímetro y del Amperímetro, pero con una batería y una resistencia. Dicha resistencia es la que ajusta en cero el instrumento en la escala de los Ohmios cuando se cortocircuitan los terminales. En este caso, el voltímetro marca la caída de voltaje de la batería y si ajustamos la resistencia variable, obtendremos el cero en la escala. Generalmente, estos instrumentos se venden en forma de Multímetro el cual es la combinación del amperímetro, el voltímetro y el Ohmímetro juntos. Los que se venden solos son llamados medidores de aislamiento de resistencia y poseen una escala bastante amplia.

MULTIMETRO ANALOGICOS

MULTIMETRO ANALOGICO

MULTIMETRO DIGITAL

COMPONENTES ELECTRICOS

COMPONENTES ELECTRONICOS

RESISTENCIA: Componente electricodiseñado para introducir una resistencia electrica determinada entre dos puntos de un circuito. Su valor viene dado en omhios, se designa con la letra griega omega mayúscula (Ω), y se mide con el Ohmímetro. También las resistencias se emplean para producir calor. El comportamiento en un circuito de las resistencias se utiliza en los circuitos para limitar el valor de la corriente o para fijar el valor de la tensión.

BOBINAS: está constituido usualmente por una cabeza hueca de una bobina de material conductor, típicamente alambre o hilo de cobre esmaltado. Existen inductores con núcleo de aire o con núcleo de un material ferroso, para incrementar su capacidad de magnetismo entre la Intensidad (inductancia). Los inductores pueden también estar construidos en circuitos integrados, usando el mismo proceso utilizado para realizar microprocesadores. En estos casos se usa, comúnmente, el aluminio como material conductor. El inductor consta de las siguientes partes:

Pieza polar: Es la parte del circuito magnético situada entre la culata y el entrehierro, incluyendo el núcleo y la expansión polar.
· Núcleo: Es la parte del circuito magnético rodeada por el devanado inductor.
· Devanado inductor: Es el conjunto de espiras destinado a producir el flujo magnético, al ser recorrido por la corriente eléctrica.
· Expansión polar: Es la parte de la pieza polar próxima al inducido y que bordea al entrehierro.
· Polo auxiliar o de conmutación: Es un polo magnético suplementario, provisto o no, de devanados y destinado a mejorar la conmutación. Suelen emplearse en las máquinas de mediana y gran potencia.
· Culata: Es una pieza de sustancia ferro magnética, no rodeada por devanados, y destinada a unir los polos de la máquina.

También pueden fabricarse pequeños inductores, que se usan para frecuencias muy altas, con un conductor pasando a través de un cilindro de ferrita o granulado.

TIPOS DE BOBINAS: Con núcleo de aire, Con núcleo sólido.

CAPACITORES: Es un dispositivo que almacena energía eléctrica. Está formado por un par de superficies conductoras en situación de influencia total (esto es, que todas las líneas de campo eléctrico que parten de una van a parar a la otra), generalmente en forma de tablas, esferas o láminas, separados por un material dieléctrico (siendo este utilizado en un condensador para disminuir el campo eléctrico, ya que actúa como aislante) o por el vacío, que, sometidos a una diferencia de potencial (d.d.p.) adquieren una determinada carga eléctrica, positiva en una de las placas y negativa en la otra (siendo nula la carga total almacenada). O también le podríamos llamar capacitor a un dispositivo que almacena carga eléctrica. El capacitor está formado por dos conductores próximos uno a otro, separados por un aislante, de tal modo que puedan estar cargados con el mismo valor, pero con signos contrarios.

En su forma más sencilla, un capacitor está formado por dos placas metálicas o armaduras paralelas, de la misma superficie y encaradas, separadas por una lámina no conductora o dieléctrico. Los capacitores pueden conducir corriente continua durante sólo un instante (por lo cual podemos decir que los capacitores, para las señales continuas, es como un cortocircuito), aunque funcionan bien como conductores en circuitos de corriente alterna.

TRANSFORMADORES: Se denomina transformador a una máquina eléctrica que permite aumentar o disminuir el voltaje o tensión en un circuito eléctrico de corriente alterna, manteniendo la frecuencia. La potencia que ingresa al equipo, en el caso de un transformador ideal, esto es, sin pérdidas, es igual a la que se obtiene a la salida. Las máquinas reales presentan un pequeño porcentaje de pérdidas, dependiendo de su diseño, tamaño, etc. Los transformadores son dispositivos basados en el fenómeno de la inducción electromagnética y están constituidos, en su forma más simple, por dos bobinas devanadas sobre un núcleo cerrado de hierro dulce o hierro silicio. Las bobinas o devanados se denominan primarios y secundarios según correspondan a la entrada o salida del sistema en cuestión, respectivamente. También existen transformadores con más devanados; en este caso, puede existir un devanado "terciario", de menor tensión que el secundario.

SIMBOLOS DE LOS COMPONENTES:
RESISTENCIA:

BOBINAS:

CAPACITORES:

TRANSFORMADORES:

CONSEPTOS BASICOS DE ELECTRICIDAD

CONSEPTOS BASICOS DE ELECTRICIDAD

1) CORRIENTE ELECTRICA: ES UN FLUJO DE CARGA, TAMBIEN PERMITE EL PASO DE LA ELECTRICIDAD ATREVES DE EL MISMO, TAMBIEN ES UNA CIRCULACION DE CARAGAS O ELECTRONES DE UN CIRCUITO ELECTRICO CERRADO Y SIEMPRE SE MUEVEN DEL POLO NEGATIVO HACIA EL POLO POSITIVO DE LA FUENTE DE SUMINISTRO DE FUERZA ELECTROMOTRIZ.

2) CONDUCTIVIDAD: ES LA CAPACIDAD DE UN CUERPO QUE PERMITE EL PASO DE LA CORRIENTE ELECTRICA A TRAVES DE SI, TAMBIEN PODEMOS DECIR QUE ES COMO LA PROPIEDAD QUE ES UNA CARACTERISTICA DE CADA CUERPO REPRESENTA LA FACILIDAD CON LA QUE QUE LOS ELECTRONES Y HUECOS EN EL CASO DE SEMICONDUCTORES Y PUEDEN PASAR POR EL.

3) RESISTIVIDAD: ES COMO EL GRADO DE DIFICULTAD QUE ENCUENTRAN LOS ELECTRONES EN SUS DESPLAZAMIENTOS, EL VALOR DESCRIBE EL COMPORTAMINETO DE UN MATERIAL CUANDO PASA LA CORRIENTE ELECTRICA ESTE VALOR LE DA UNA IDEA DE LO BUEN O MAL CONDUCTOR QUE ES EL MATERIAL. UN VALOR ALTO DE RESISTIVIDAD INDICA QUE EL MATERIAL ES UN MAL CONDUCTOR MIENTRA QUE UNO BAJO INDICA QUE ES UN BUEN CONDUCTOR.

4) TIPOS DE MATERIALES: - CONDUCTORES: LOS MATERIALES SON LOS SIGUIENTES: HIERRO, COBRE, BRONCE, ESTAÑO, PLOMO, ALUMINIO, ORO

- AISLANTES: LOS MATERIALES SON LOS SIGUIENTES: LANA DE ROCA, LANA DE VIDRIO, POLIESTIRENO ESPANDIDO, POREXPAN, AGRAMIZA, PLASTICO, MADERA, VIDRIO, PORCELANA, MINERALES, CERAMICA, POLIPROPILENO, ETC.

5) CORRIENTE ALTERNA: CIRCULA DURANTE UN TIEMPO EN UN SENTIDO Y DESPUES EN SENTIDO CONTRARIO Y SE REPITE EL MISMO PROCESO EN FORMA CONSTANTE O TAMBIEN PODRIAMOS DECIR QUE ES EL MOVIMIENTO DE ELECTRONES A LO LARGO DE UN CONDUCTOR QUE ESTA CONECTADO A UN CIRCUITO EN EL CUAL EXISTEN DIFERENCIAS DE POTENCIAL.

6) CORRIENTE DIRECTA: ES EN LA QUE LOS ELECTRONES FLUYEN SIEMPRE EN EL MISMO SENTIDO EN CIRCUITO ELECTRICO CERRADO MOVIENDOSE DE POLO NEGATIVO A POLO POSITIVO.

7) CORRIENTE CONTINUA: ES EL FLUJO CONTINUO DE ELECTRONES A TRAVES DE UN CONDUCTOR ENTRE DOS PUNTOS DE DISTINTO POTENCIAL, EN LA CORRIENTE CONTINUA LAS CARGAS ELECTRICAS SIEMPRE CIRCULAN EN LA MISMA DIRECCION.